10
0,09
9,91
0,036
1
10
0,48
9,52
0,192
2
20
0,18
19,82
0,072
2
20
0,968
19,032
0,3872
3
30
0,256
29,744
0,1024
3
30
1,46
28,54
0,584
4
50
0,408
49,592
0,1632
4
50
2,38
47,62
0,952
5
70
0,568
69,432
0,2272
5
70
3,2
66,8
1,28
6
100
0,8
99,2
0,32
6
100
4,28
95,72
1,712
7
150
1,19
148,81
0,476
7
150
5,6
144,4
2,24
8
200
1,54
198,46
0,616
8
200
6,6
193,4
2,64
9
250
1,9
248,1
0,76
9
250
7,28
242,72
2,912
10
300
2,28
297,72
0,912
10
300
7,84
292,16
3,136
11
350
2,6
347,4
1,04
11
350
8,24
341,76
3,296
12
400
2,9
397,1
1,16
12
400
6,24
393,76
2,496
13
450
3,16
446,84
1,264
13
450
6,24
443,76
2,496
14
500
3,38
496,62
1,352
14
500
6,24
493,76
2,496
15
550
3,56
546,44
1,424
15
600
5,84
594,16
2,336
16
600
3,72
596,28
1,488
16
700
6,24
693,76
2,496
17
650
3,84
646,16
1,536
17
800
6,24
793,76
2,496
18
700
3,84
696,16
1,536
Рисунок 7. Вольт-амперные характеристики гетеростуруктур AlGaN/GaN, выращенных на подложках из сапфира и карбида кремния, измеренные при Т 300 К и Т 77 К
Выводы
Страницы: << < 16 | 17 | 18 | 19 | 20 > >>