: объяснить при каких условиях полупроводник может стать источником излучения, и как эти условия достигаются экспериментально.
2 слайд: о терагерцовом излучении
3 слайд: о преимуществах полупроводников
4 слайд: о явлении пролетного резонанса
5 слайд: о изучаемой гетеростурктуре
6 слайд: описание эксперимента
7 слайд: результаты эксперимента
8 и 9 слайды: выводы
Информационные источники
Воробьев Л. Е. "Горячие носители заряда в полупроводниках" (Санкт-Петербург, издательство СПБГТУ, 1999. 77 с. )
Левинштейн М. Е. , Симин Г. С. "Знакомство полупроводниками" (Москва, издательство "Наука". Выпуск 33, 1984. 240 с. )
Пожела Ю. К. "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках" (Москва, издательство "Наука", 1977. 367 с. )
Статья Википедии "Нитрид галлия" https://ru. wikipedia. org/wiki/Нитридгаллия
Статья Википедии "Полупроводники"
https://ru. wikipedia. org/wiki/ПолупроводникГруппаIII-V
Статья Википедии "Эпитаксия"
https://ru. wikipedia. org/wiki/Эпитаксия
Страницы: << < 18 | 19 | 20