Измерение вольт-амперных характеристик структур нитрида галлия в сильных электрических полях

Страницы: <<  <  15 | 16 | 17 | 18 | 19  >  >>

/>3
140
5,12
134,88
2,048
4
50
0,368
49,632
0,1472

4
200
6,64
193,36
2,656
5
70
0,52
69,48
0,208

5
250
7,6
242,4
3,04
6
100
0,736
99,264
0,2944

6
300
8,4
291,6
3,36
7
150
1,1
148,9
0,44

7
350
8,96
341,04
3,584
8
200
1,44
198,56
0,576

8
400
9,44
390,56
3,776
9
250
1,78
248,22
0,712

9
450
9,84
440,16
3,936
10
300
2,12
297,88
0,848

10
500
10,2
489,8
4,08
11
350
2,46
347,54
0,984

11
550
10,6
539,4
4,24
12
400
2,76
397,24
1,104

12
600
10,7
589,3
4,28
13
450
3,06
446,94
1,224

13
650
10,9
639,1
4,36
14
500
3,36
496,64
1,344

14
700
11
689
4,4
15
550
3,64
546,36
1,456

15
750
11,2
738,8
4,48
16
600
3,88
596,12
1,552

16
800
11,2
788,8
4,48
17
650
4,2
645,8
1,68

17
850
11,2
838,8
4,48
18
700
4,44
695,56
1,776
19
750
4,68
745,32
1,872
20
800
4,88
795,12
1,952
21
850
5,08
844,92
2,032

Таблица 4
Результаты измерений образца AlGaN/GaN на подложке из сапфира
T 300 K

T 77 K

Uполное, В
URI, В
Uобраз Uполное - URI , В
I URI / 2. 5, А


Uполное, В
URI, В
Uобраз Uполное - URI , В
I URI / 2. 5, А
1

Страницы: <<  <  15 | 16 | 17 | 18 | 19  >  >>
Рейтинг
Оцени!
Поделись конспектом: