:
В качестве подложки предпочтительнее использовать карбид кремния, так как образцы на таких подложках выдерживали бОльшие электрические поля, чем образцы на подложках из сапфира. Образцы на подложках из сапфира портились при приложении напряжений 400 - 500 В (см. рис. 7)
Сила тока при одном и том же напряжении сильно зависит от температуры. Это связано с тем, что при уменьшении температуры уменьшается частота столкновений электрона с тепловыми колебаниями атомов решетки. Следовательно, время свободного пробега растёт, и сила тока увеличивается (см. формулу (8)).
При Т 300 К вольт-амперная характеристика остаётся линейной вплоть до напряжений U 500 В. При Т 77 К отклонение вольт-амперной характеристики от закона Ома начинается гораздо раньше, при напряжениях U 100 В. Это также связано с тем, что время свободного пробега электрона в пассивной области уменьшается с ростом температуры.
Вид вольт-амперной характеристики при Т 77 К говорит о том, что процесс насыщения тока начинается, но полноценный стриминг электронов не наступает, т. к. скорость электронов продолжает расти и не достигает максимального значения 2107 см/с. Для того, чтобы получить стриминг, нужно, чтобы время свободного пробега в пассивной области было много меньше пролётного времени (см. формулу (9)). Для этого нужно либо увеличивать напряжение на образце (но нужно принимать меры, чтобы не было электрического пробоя), либо уменьшать частоту рассеяния в пассивной области: уменьшать концентрацию свободных двумерных электронов и уменьшать концентрацию рассеивающих центров (примесей и дефектов).
Макет продукта
Тема урока: полупроводниковые гетероструктуры как источники излучения. Измерение вольт-амперных характеристик гетероструктур нитрида галлия.
Цель урока
Страницы: << < 17 | 18 | 19 | 20 > >>