рисунке 6. Генератор Г5-56 формировал задающий импульс величиной 5 В. Этот импульс усиливался усилителем мощности, который питался от высоковольтного источника постоянного напряжения (модель PS310/1250V-25W). С выхода усилителя мощности импульс подавался на цепь, состоящую из исследуемого образца и постоянного нагрузочного сопротивления RI. Сопротивление RI выбиралось так, чтобы оно было много меньше сопротивления образца (RI2,5 Ом). Сопротивление RI использовалось как амперметр: падение напряжения на этом сопротивлении прямо пропорционально току в цепи. Это падение напряжения измерялось с помощью цифрового осциллографа Tektronix TDS2024. Для измерения напряжения прямо к выходу усилителя мощности параллельно с цепью образца был подключен делитель напряжения, который ослаблял напряжение в 100 раз. Это ослабленное в 100 раз напряжение тоже подавалось на цифровой осциллограф. Измерения проводились при комнатной температуре (Т 300 К) и при температуре кипения жидкого азота ( Т 77 К).
Рис. 6. Схема эксперимента
Результаты эксперимента
В таблицах 3, 4 и на рисунке 7 представлены результаты измерения вольт-амперных характеристик гетероструктур, выращенных на двух разных подложках (сапфире и карбиде кремния) при двух температурах.
Таблица 3
Результаты измерений образца AlGaN/GaN на подложке карбида кремния
T 300 K
T 77 K
Uполное, В
URI, В
Uобраз Uполное - URI , В
I URI / 2. 5, А
Uполное, В
URI, В
Uобраз Uполное - URI , В
I URI / 2. 5, А
1
10
0,08
9,92
0,032
1
70
2,92
67,08
1,168
2
20
0,16
19,84
0,064
2
100
4,04
95,96
1,616
3
30
0,242
29,758
0,0968
Страницы: << < 14 | 15 | 16 | 17 | 18 > >>