ороткого времени (1-10 микросекунд). Существует специальная методика измерения вольт-амперной характеристики образца в импульсном режиме. Моей задачей является участие в измерениях вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур с двумерным электронным газом на основе нитрида галлия и алюминия и анализ этих характеристик.
Глоссарий
Полупроводник - материал, по удельной проводимости занимающий промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающийся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения.
Дырка - пустое место с положительным зарядом, которое появляется после того, как электрон освобождается и может передвигаться по кристаллической решетке.
Рекомбинация - исчезновение пары свободных частиц, имеющих заряды противоположных знаков (электрона и дырки) в полупроводнике с выделением энергии.
Электрон-вольт - внесистемная единица измерения энергии, равная 1,61019 Дж.
Запрещенная зона (g) - область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле.
Собственная проводимость - электрическая проводимость, возникающая за счет переходов электронов идеального кристалла полупроводника из валентной зоны в свободную (зону проводимости).
Примесная проводимость - электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.
Гетероструктура - выращенная на подложке полупроводниковая структура, состоящая из нескольких слоёв различных полупроводниковых материалов.
Эпитаксия -- это такой рост слоя одного кристаллического материала на другом (на подложке), при котором растущий слой полностью
Страницы: << < 6 | 7 | 8 | 9 | 10 > >>