а (- 196 С). Многие существующие источники терагерцового излучения являются очень сложными с точки зрения технологии изготовления, или требуют для своей работы приложения очень больших электрических или магнитных полей, или оптической накачки т. е. освещения прибора источником излучения видимого или ближнего инфракрасного диапазона.
Одной из идей создания нового источника терагерцового излучения является идея использовать явление пролетного резонанса в полупроводниках, при котором, согласно теории, полупроводник должен излучать в терагерцовом диапазоне частот. В обычных полупроводниках явление пролетного резонанса наблюдалось только в фосфиде индия; параметры других полупроводников не соответствуют условиям наблюдения этого резонанса. Однако сейчас технология выращивания полупроводниковых пленок позволяет создавать новые материалы с требуемыми параметрами. Самым привлекательным материалом для получения пролетного резонанса являются структуры с двумерным электронным газом, которые получаются при выращивании очень тонких пленок нитрида галлия и нитрида алюминия (пленки выращивают на подложках либо из сапфира, из карбида кремния). Этот материал имеет высокую термостойкость и может выдерживать большие электрические поля. О том, происходит пролетный резонанс в образце или нет, можно судить, измеряя зависимость силы тока через образец от приложенного напряжения. Такая зависимость называется вольт-амперной характеристикой. Пролетный резонанс может наступить только при приложении достаточно сильных электрических полей. Ток, постоянно протекающий через образец при приложении сильного электрического поля, приводит к недопустимому нагреву образца, поэтому вольт-амперные характеристики измеряются в импульсном режиме, когда напряжение прикладывается к образцу в течение очень к
Страницы: << < 5 | 6 | 7 | 8 | 9 > >>