азделяют по геометрическим признакам на точечные (нуль мерные), линейные (одномерные) и поверхностные (двумерные) Точечные дефекты: Вакансии чаще образуются в результате перехода атомов из узла решетки на поверхность или полного испарения с поверхности кристалла, реже их перехода в межузелье (рис. 4). В кристалле всегда найдутся атомы, кинетическая энергия которых выше средней, свойственной заданной температуре нагрева. Такие атомы, особенно расположены вблизи поверхности, могут выйти на поверхность кристалла, их место займут атомы находящиеся дальше от поверхности, а принадлежащие им узлы окажутся свободны, т. е. возникнут тепловые вакансии. При данной температуре в кристалле создаются не только одиночные вакансии, но двойные, тройные и их группировки. Большинство вакансий являются двойные (так называемые дивакансии). Вакансии образуются не только в результате нагрева, но и в процессе пластической деформации, рекристаллизации и при бомбардировке металла или частицами высоких энергий. Межузельный атом, образованный в результате перехода атома из узла в межузелье, на месте которого образуется вакансия. В плотноупакованных решетках, характерных для большинства металлов, энергия образования межузельных атомов в несколько раз больше энергии образования тепловых вакансий. Поэтому в металла очень трудно возникают межузельные атомы и основными точечными дефектами являются тепловые вакансии. Точечные дефекты вызывают местное искажение кристаллической решетки, смещение вокруг вакансии возникают обычно в первых двух-трех слоях соседних атомов и составляют доли межатомного расстояния. Вокруг межузельного атома в ГПУ решетках смещение соседей значительно больше, чем вокруг вакансий. Наличие вакансий предопределяет возможность диффузии, т. е. перемещение атомов в кристаллическом тел
Страницы: << < 7 | 8 | 9 | 10 | 11 > >>