ько размеров атома) чередующихся полупроводниковых слоев высокого качества. Благодаря огромному прогрессу в технологии изготовления полупроводников появились новые материалы - нано- и гетероструктуры, квантовые нити и квантовые точки. Именно из полупроводниковых материалов сделаны современные устройства, без которых мы не представляем свою жизнь - компьютеры и мобильные телефоны, без полупроводников приборов невозможно представить современную медицину, химию, биологию, безопасность, космические исследования и многое другое.
Технология изготовления образца
Для того, чтобы получить полупроводники высокого качества, нужно выращивать их методами эпитаксии - то есть послойного роста, когда последующий слой повторяет структуру предыдущего. Образцы, которые исследовались в данной работе, были выращены методом осаждения из газовой фазы (МОС-гидридная эпитаксия). Этот метод заключается в том, что подложка помещается в ростовую камеру и нагревается до определенной температуры. В камеру поступают пары соединений галлия и азота при высоких температурах и пониженном давлении. Происходит химическая реакция, при которой эти соединения разлагаются, и на подложке начинает расти слой нитрида галлия GaN. Его кристаллическая структура повторяет структуру подложки (см. рис. 1). В работе исследовались образцы, выращенные на двух подложках: на сапфире и на карбиде кремния.
Рис. 1. Схема исследуемой гетероструктуры
Основные особенности полупроводников и полупроводниковых гетероструктур
Главной особенностью полупроводников является очень резкая зависимость концентрации свободных носителей заряда n от температуры T:
n Aexp (-E2kT) (1)
В случае, когда в полупроводнике совсем нет примесей, которые могут "поставлять"
Страницы: << < 9 | 10 | 11 | 12 | 13 > >>