r/>Ò5
hV
hâ
$ hâ
$ hâ
hâ
hâ
hâ
hâ
hâ
hâ
hV
$ hV
hâ
, hâ
hâ
hâ
hâ
hâ
( hâ
hâ
( hâ
hâ
, hâ
$ hV
hw
ꐓ»葞摧䰲Þကспособ определения удельного поверхностного сопротив-
ления весьма прост, но вносит значительные погрешности вследствие измере-
ния гальванометром не только токов поверхностной утечки Is , но также и токов объемной утечки Iv, которые в этом случае не отводятся от гальванометра (рисунок 2). В таком методе имеются и другие причины, приводящие к погреш-ности измерения.
Удельное поверхностное сопротивление диэлектрика обычно определяется на тех же образцах материалов, что и удельное объемное сопротивление, но в качестве охранного электрода используют нижний электрод 1 (рисунок 3). Принципиальная схема установки для измерения тока поверхностной утечки Is на образце диэлектрика с концентрически расположенными электродами 2 и 3 (рисунок 5). В этой установке гальванометр G измеряет токи, протекающие по
поверхности диэлектрика (в кольцевом слое) от электрода 2 к электроду 3. Токи же объемной утечки Iv поступают на нижний электрод 1 и отводятся от гальванометра по проводу а. При помощи вольтметра V измеряют напряжение между электродами 2 и 3. Здесь же в начале подсчитывают величину общего поверхностного сопротивления Rs кольцевого слоя между концетрически расположенными электродами 2 и 3(по закону Ома):
Rs U/Is Ом
Величина же удельного поверхностного сопротивления подсчитывается по формуле:
p R S/l Омм
Для этого случая длина пути утечки тока 1 по поверхности диэлектрика будет равна ширине зазора между электродами 2 и 3, т. е. :
L d2 - d1/2 мм
Вместо сечения S здесь приходится пользоваться условным сечением длин
Страницы: << < 6 | 7 | 8 | 9 | 10 > >>