r/>Чистые проводники (кремний, германий) – обладают собственной проводимостью, которая возникает в результате разрыва ковалентных связей. Её можно создать нагреванием, освещением. В результате разрыва ковалентных связей образуются свободные электроны. При удалении электрона не его месте образуется вакантное место с недостающим электроном – дырка. Так как соседние электроны, имеющие общие электроны, постоянно ими обмениваются, то происходит перемещение, как электронов, так и дырок. Возникает электронная и дырочная проводимость.
Примесная проводимость – обусловлена наличием в полупроводнике малого количества примесей.
Проводники n-типаПроводники р-типа
Если валентность примесных атомов больше, чем у основных, то появляются свободные электроны (электронная проводимость). Например: 5-валентные атомы мышьяка в кристалле кремния. Если валентность примесных атомов меньше чем у основных, то появляются дырки, которые движутся под действием электрического поля как положительно заряженные частицы (дырочная проводимость).
Например: 3-валентные атомы индия в кристалле кремния.
Электронно-дырочный переход (p-n типа) – контакт между полупроводниками p и n типа.
В результате встречной диффузии электронов и дырок p-n – перехода образуется запирающий электронный слой, поле которого препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой обеднен свободными носителями заряда и поэтому имеет повышенное сопротивление. Если внешнее электрическое поле направлено от полупроводника p-типа к полупроводнику n-типа (ток идёт в прямом направлении), сопротивление запирающего слоя резко уменьшается, при противоположном направлении резко возрастает. Поэтому полупроводниковый диод, содержащий один p-n – переход, представляет собой элемент с о
Страницы: << < 6 | 7 | 8 | 9 > >>